"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зависимость от состава параметров глубокого центра в эпитаксиальных слоях Pb1-xSnxTe<In>
Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Трофимов В.Т.
Выставление онлайн: 20 октября 1989 г.

Изучались спектры положительного и отрицательного сигналов фотопроводимости (ФП) эпитаксиальных слоев Pb1-xSnxTe<In>/BaF2 в диапазоне составов 0=< x=<0.25. На основании этих спектров определена зависимость положения глубокого уровня центра от состава по отношению к краям зон. В рамках модели ян-теллеровского центра (ЯТЦ) рассчитаны параметр перестройки, характеризующий упругость решетки, и положение возбужденного одноэлектронного состояния. Обнаружено уменьшение пороговой энергии возбуждения отрицательного сигнала ФП при уменьшении толщины эпитаксиального слоя (при x~= 0.23 и d~=50 нм Delta hnuп~=35 мэВ). Это объясняется наличием напряжений в тонких слоях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.