"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О положении локальных уровней радиационных дефектов в сплавах Pb1-xSnxTe, облученных протонами
Брандт Н.Б., Гаськов А.М., Ладыгин Е.А., Скипетров Е.П., Хорош А.Г.
Выставление онлайн: 20 октября 1989 г.

Исследовано влияние облучения быстрыми протонами (T~300 K, E=200 кэВ, Phi=<2·1014 см-2) на электрофизические свойства тонких слоев p-Pb1-xSnxTe (0.17=< x=<0.26). Обнаружено насыщение зависимостей концентрации дырок от потока облучения, связанно с возникновением при облучении резонансного уровня, расположенного вблизи потолка валентной зоны сплавов, и стабилизацией уровня Ферми резонансным уровнем. Обсужден возможность согласования имеющихся в настоящее время данных о положении уровней радиационных дефектов в сплавах Рb1-xSnxTе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.