В образцах Si в интервале температур 8-30 K измерена температурная зависимость коэффициента примесного оптического поглощения в максимуме спектральных линий В (nu=320 см^-1) и Р (nu=316 см^-1). Нейтрализация компенсирующей примеси создавалась благодаря генерации электронно-дырочных пар светом из области фундаментального поглощения, попадавшим на образец одновременно с детектируемым ИК излучением от источника излучения спектрофотометра. Исследован Si, полученный методом бестигельной зонной плавки, как нелегированный с остаточными В и Р на уровне 10¹²-10¹⁴ см^-3, так и легированный Ga с N_Ga= 2·10¹⁵/3·10¹⁷ см^-3. В нелегированном Si коэффициент поглощения K(T) компенсирующей примесью и, следовательно, степень ее нейтрализации падают с ростом T, а в сильно легированном Si : Ga проходят через максимум, положение которого зависит от N_Ga. Получены выражения для степени нейтрализации примеси, показывающие, что доля нейтральной примеси зависит как от условий эксперимента (интенсивности излучения из области собственного поглощения и фонового излучения), так и от параметров образца: времени межзонной рекомбинации на глубоких центрах и рекомбинации через A⁺-центры, а также коэффициента захвата на притягивающую примесь. Теоретические оценки качественно согласуются с экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.