"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нейтрализация мелких примесей в кремнии светом из области фундаментального поглощения
Берман Л.В., Селиверстов А.И.
Выставление онлайн: 20 октября 1989 г.

В образцах Si в интервале температур 8-30 K измерена температурная зависимость коэффициента примесного оптического поглощения в максимуме спектральных линий В (nu=320 см-1) и Р (nu=316 см-1). Нейтрализация компенсирующей примеси создавалась благодаря генерации электронно-дырочных пар светом из области фундаментального поглощения, попадавшим на образец одновременно с детектируемым ИК излучением от источника излучения спектрофотометра. Исследован Si, полученный методом бестигельной зонной плавки, как нелегированный с остаточными В и Р на уровне 1012-1014 см-3, так и легированный Ga с NGa= 2·1015/3·1017 см-3. В нелегированном Si коэффициент поглощения K(T) компенсирующей примесью и, следовательно, степень ее нейтрализации падают с ростом T, а в сильно легированном Si : Ga проходят через максимум, положение которого зависит от NGa. Получены выражения для степени нейтрализации примеси, показывающие, что доля нейтральной примеси зависит как от условий эксперимента (интенсивности излучения из области собственного поглощения и фонового излучения), так и от параметров образца: времени межзонной рекомбинации на глубоких центрах и рекомбинации через A+-центры, а также коэффициента захвата на притягивающую примесь. Теоретические оценки качественно согласуются с экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.