Исследовались гетеропереходы p-Ge/n-GaAs, имеющие отрицательный разрыв зоны проводимости Delta E_c, с целью разделения двух механизмов прохождения фотоносителей через гетерограницу при освещении узкозонного полупроводника: термического заброса фотоэлектронов через барьер Delta E_c и надбарьерного прохождения горячих носителей. Гетеропереходы, изготовленные МЛЭ, имели различные профили концентрации основных носителей заряда в пленках Ge. Исследовались спектральные зависимости фототока при освещении со стороны Ge и GaAs. Наблюдалось значительное увеличение фототока в длинноволновой части спектра при освещении со стороны GaAs. Проведены теоретические расчеты экспериментальных зависимостей и показано, что надбарьерное прохождение горячих носителей может преобладать над током, связанным с термическим забросом фотоэлектронов, увеличивая сигнал в пределах порядка в области спектра 1.5/0.9 мкм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.