Теоретически и экспериментально исследовано влияние толщины диэлектрического слоя на возбуждение поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) в структуре металл-полупроводник. Обнаружена критическая зависимость свойств резонансного фотоответа структуры, связанного с возбуждением медленной моды ПЭВ, от толщины оксида, проявляющаяся в смещении углового положения резонансного пика фотоответа, уменьшений полуширины пика и его полном исчезновении при толщине оксида >~=150 Angstrem. Показано, что в некотором интервале толщин поверхностные TM-моды отсутствуют (для рассмотренного случая Ag (An)-собственный оксид-GaP - в интервале от 15 до 500 нм). Полученные результаты могут найти применение при разработке резонансных фотоприемников на основе структур Шоттки и МОП структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.