"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
Стыс Л.Е.
Выставление онлайн: 20 октября 1989 г.

Предложен механизм релаксации неравновесного локализованного заряда, согласно? которому поставка носителей в разрешенную зону может осуществляться вследствие последовательных туннельных термостимулированных переходов с глубоких локализованных состояний на более мелкие. Проанализированы закономерности релаксации заряда для двух типов энергетического спектра локализованных состояний: при наличии двух моноэнергетических уровней и для экспоненциального распределения ловушек по энергиям. В последнем случае показано, что если температура является достаточно низкой (T<E0), то вероятность заселенности глубокого локализованного состояния описывается законом Кохралика < q(E)>~=exp [-(E0/T)3 (W(E)t)gamma], где T --- абсолютная температура в энергетических единицах, E0 --- характерный энергетический масштаб изменения плотности локализованных состояний, W(E) --- темп термического выброса носителей с уровней глубиной E, t --- время релаксации, а показатель gamma=T/E0 < 1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.