"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике методом температурной зависимости емкости и активной проводимости
Берман Л.С., Клингер П.М., Фистуль В.И.
Выставление онлайн: 20 октября 1989 г.

Описан метод, позволяющий определить энергию ионизации и концентрацию глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике из температурных зависимостей емкости и активной проводимости. В отличие от известных методик измерения проводятся на фиксированной частоте, что повышает их точность. Приведены результаты определения параметров глубоких центров в кремнии, легированном никелем, ванадием, а также в кремнии, облученном gamma-квантами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.