Описан метод, позволяющий определить энергию ионизации и концентрацию глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике из температурных зависимостей емкости и активной проводимости. В отличие от известных методик измерения проводятся на фиксированной частоте, что повышает их точность. Приведены результаты определения параметров глубоких центров в кремнии, легированном никелем, ванадием, а также в кремнии, облученном gamma-квантами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.