"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Использование кластерного приближения для исследования легированного кристалла кремния
Онопко Д.Е.1, Рыскин А.И.1
1Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

Разработанная ранее методика учета граничных условий для кластеров кристаллов с ковалентным характером химической связи применяется для исследования кристалла кремния, легированного ионами переходных 3d-металлов. Рассматриваются особенности электронной структуры и химической связи таких систем, их зависимость от заряда ядра легирующего иона. Исследуется природа электронных состояний, индуцируемых примесным ионом в запрещенной зоне кристалла. Определяются изменения минимального межатомного расстояния при легировании. Делается попытка установить корреляцию этих изменений с величиной растворимости примесных ионов в кристаллической матрице.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.