"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние глубоких уровней на эффекты поля в гомогенных периодических полупроводниковых структурах на основе кремния
Владимирова Е.В.1, Гусятников В.Н.1, Журавлев К.А.1, Иванченко В.А.1, Павлов В.Г.1
1Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского,, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 9 июня 1992 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.