"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Трансформация кристаллической структуры CdxHg1-xTe при ионной имплантации
Ибрагимова М.И.1, Файзрахманов И.А.1, Хайбуллин И.Б.1, Саинов Н.А.1
1Казанский физико-технический институт Академии наук Татарстана,, Казань, Татарстан
Поступила в редакцию: 30 ноября 1992 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

Изучена трансформация кристаллической структуры CdxHg1-xTe при имплантации ионов с массой 11=< Mi=< 131 а. е. м. и энергий E< 100 кэВ в широком интервале доз 1014=<Phi=< 3· 1017 см-2. Обнаружено, что при бомбардировке ионами с массой Mi<=70 а. е. м. и энергией E<100 кэВ после достижения определенной дозы Phia происходит аморфизация приповерхностного слоя CdxHg1-xTe. Показано, что все имеющиеся данные по зависимости структурно-фазовых изменений CdxHg1-xTe от режимов облучения могут быть объяснены на основе модели тепловых пиков. Установлено, что появление рефлексов от монокристалла при достижении некоторой критической дозы Phic<=Phia связано не с рекристаллизацией аморфного слоя в процессе имплантации, а с изменением условий дифракции быстрых электронов вследствие образования сильно развитого микрорельефа поверхности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.