Изучена трансформация кристаллической структуры Cd_xHg_1-xTe при имплантации ионов с массой 11=< M_i=< 131 а. е. м. и энергий E< 100 кэВ в широком интервале доз 10¹⁴=<Phi=< 3· 10¹⁷ см^-2. Обнаружено, что при бомбардировке ионами с массой M_i<=70 а. е. м. и энергией E<100 кэВ после достижения определенной дозы Phi_a происходит аморфизация приповерхностного слоя Cd_xHg_1-xTe. Показано, что все имеющиеся данные по зависимости структурно-фазовых изменений Cd_xHg_1-xTe от режимов облучения могут быть объяснены на основе модели тепловых пиков. Установлено, что появление рефлексов от монокристалла при достижении некоторой критической дозы Phi_c<=Phi_a связано не с рекристаллизацией аморфного слоя в процессе имплантации, а с изменением условий дифракции быстрых электронов вследствие образования сильно развитого микрорельефа поверхности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.