"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инверсия электрического поля у освещаемого анода МПМ диода
Резников Б.И.1, Царенков Г.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

Предсказана инверсия электрического поля у освещаемого анода МПМ структуры с высокоомной базой. Инверсия наступает при интенсивностях Ii, превышающих инверсную Iinv, которая растет с увеличением приложенного к структуре напряжения V и уменьшением ее размера d. Причина инверсии поля --- возникновение настолько больших градиентов электронной концентрации у поверхности, что сумма диффузионных токов фотоносителей превышает полный ток, в результате чего поле у поверхности E0 изменяет знак. Величина |E0| растет с интенсивностью и при Ii>> Iinv может превзойти Ec = V/d. Ширина инверсной области немонотонно зависит от интенсивности, быстро растет при Ii> Iinv и слабо изменяется при Ii>> Iinv. За областью инверсного поля расположена протяженная квазинейтральная область, где поле менее одного процента Ec. При увеличении интенсивности область малого поля расширяется и при Ii>> Iinv занимает значительную долю всей структуры. В остальной части структуры превалирует дрейфовый перенос, дырочная концентрация намного больше электронной, зависимость E(x) имеет растущий корневой вид. Поле у темнового контакта возрастает с интенсивностью, а ток при Ii>> Iinv растет почти линейно. Численное и аналитическое рассмотрение проведено для наиболее благоприятного случая пренебрежимо малой рекомбинации, при максимальных скоростях обмена носителями между полупроводником и металлом. Рассмотрены напряжения, значительно превышающие контактную разность потенциалов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.