Предсказана инверсия электрического поля у освещаемого анода МПМ структуры с высокоомной базой. Инверсия наступает при интенсивностях I_i, превышающих инверсную I_inv, которая растет с увеличением приложенного к структуре напряжения V и уменьшением ее размера d. Причина инверсии поля - возникновение настолько больших градиентов электронной концентрации у поверхности, что сумма диффузионных токов фотоносителей превышает полный ток, в результате чего поле у поверхности E₀ изменяет знак. Величина |E₀| растет с интенсивностью и при I_i>> I_inv может превзойти E_c = V/d. Ширина инверсной области немонотонно зависит от интенсивности, быстро растет при I_i> I_inv и слабо изменяется при I_i>> I_inv. За областью инверсного поля расположена протяженная квазинейтральная область, где поле менее одного процента E_c. При увеличении интенсивности область малого поля расширяется и при I_i>> I_inv занимает значительную долю всей структуры. В остальной части структуры превалирует дрейфовый перенос, дырочная концентрация намного больше электронной, зависимость E(x) имеет растущий корневой вид. Поле у темнового контакта возрастает с интенсивностью, а ток при I_i>> I_inv растет почти линейно. Численное и аналитическое рассмотрение проведено для наиболее благоприятного случая пренебрежимо малой рекомбинации, при максимальных скоростях обмена носителями между полупроводником и металлом. Рассмотрены напряжения, значительно превышающие контактную разность потенциалов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.