Кулоновское взаимодействие носителей в тонких полупроводниковых нитях
Андрюшин Е.А.1, Силин А.П.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 9 октября 1992 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.
Для окруженных диэлектриком полупроводниковых нитей различной формы исследовано влияние кулоновского взаимодействия на свойства основного состояния носителей тока.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.