"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Рекомбинационные механизмы и кинетические явления в одноосно-напряженном CdxHg1-xTe
Гасан-заде С.Г.1, Шепельский Г.А.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 22 декабря 1992 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

В узкощелевом полупроводнике CdxHg1-xTe (x~= 0.20-0.30) исследовались рекомбинационные механизмы и кинетические явления при трансформации зонной структуры одноосной упругой деформацией. Показано, что наряду с резкими изменениями коэффициента Холла, удельного сопротивления, полевых зависимостей магнитосопротивления и фотомагнитного эффекта, связанными с расщеплением валентной зоны и уменьшением эффективной массы дырок в упругонапряженном кристалле, происходит и изменение темпа межзонной и примесной рекомбинации. В частности, темп межзонной излучательной рекомбинации растет, а ударной рекомбинации --- падает с ростом деформации. В случае примесной рекомбинации с участием мелких акцепторов наблюдается увеличение темпа рекомбинации из-за ослабления процессов захвата неосновных носителей заряда на акцепторное состояние.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.