"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние термообработки на параметры границы раздела структур Si-SiO2 после радиационных воздействий
Вовк О.В.1, Лелеченко В.П.1, Солошенко В.И.1, Ройзин Я.О.1, Якунина В.Н1
1Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова,, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 25 ноября 1991 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

Представлены результаты, характеризующие изменения плотности поверхностных состояний (ПС) в МОП структурах при отжиге и комбинации облучение-отжиг в интервале температур от 300 до 900 K. Показано, что gamma-облучение при малых дозах, отжиг и комбинированное воздействие облучение-отжиг приводят к уменьшению плотности ПС. Использовалось облучение рентгеном либо гамма-квантами. Доза облучения от 103 до 106 рад. Одной из возможных причин наблюдаемого эффекта является отличная природа части ПС от стандартных Pb0 и Pb1 центров, которая обусловлена присутствием в их структуре примесных атомов, в частности атомов водорода. При радиационных воздействиях и последующем термическом отжиге эти центры могут аннигилировать и не проявляют себя больше как поверхностные состояния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.