"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Экспериментальное наблюдение расщепления уровней энергии легких и тяжелых дырок в упругонапряженном GaAsN
Егоров А.Ю.1, Семенова Е.С.1, Устинов В.М.1, Hong Y.G.2, Tu C.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Electrical and Computer Engineering University of California, San Diego, La Jolla, CA, USA
Поступила в редакцию: 30 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Обнаружено существование двух пиков в спектрах фотолюминесценции слоев твердого раствора GaAsN, выращенных на подложке GaAs, при комнатной температуре. Расстояние между пиками увеличивается с ростом содержания азота в тройном твердом растворе. Присутствие в спектрах двух переходов с участием легкой и тяжелой дырки предложено в качестве объяснения такого вида спектров фотолюминесценции. Эффект расщепления уровней энергии легкой и тяжелой дырок обусловлен действием упругой деформации слоев GaAsN при выращивании их на поверхности GaAs.
  1. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
  2. B. Borchert, A.Yu. Egorov, S. Illek, M. Komainda, H. Riechert. Electron. Lett., 35, 2204 (1999)
  3. M.Kondow, T. Kitatani, S. Nakatsuka, M.C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa, K. Uomi. IEEE. J. Sel. Topics Quant. Electron., 3, 719 (1997)
  4. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Techn., 6, 27 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.