"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесцентные и электронные свойства пленок нанокристаллического кремния, легированного золотом
Каганович Э.Б.1, Кизяк И.М.1, Кириллова С.И.1, Манойлов Э.Г.1, Примаченко В.Е.1, Свечников С.В.1, Венгер Е.Ф.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 30 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Легирование золотом пленок нанокристаллического кремния (nc-Si), полученных лазерной абляцией, существенно подавляет безызлучательный канал рекомбинации носителей заряда и экситонов, приводит к возрастанию интенсивности, стабильности видимой фотолюминесценции, к усилению низкоэнергетической (1.5-1.6 эВ) полосы фотолюминесценции. Легирование снижает величину фотоэдс и захват электронов на ловушки в пленке, а также уменьшает плотность граничных электронных состояний и концентрацию глубоких ловушек для электронов на подложке монокристаллического кремния (c-Si). Наблюдаемое влияние легирования на фотолюминесцентные и электронные свойства пленок nc-Si и структур nc-Si/c-Si обусловлено процессами пассивации золотом оборванных связей кремния и доокисления кремния на поверхности нанокристаллов и формированием высокобарьерных слоев SiO2.
  1. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D. Calcott. Appl. Phys. Rev., 82, 909 (1997)
  2. Y. Kanemitsu. Phys. Rep., 263, 1 (1995)
  3. D. Kovalev, H. Heckler, G. Polisski, F. Koch. Phys. St. Sol. (b), 215, 871 (1999)
  4. O. Bisi, O. Ossicini, L. Pavesi. Surf. Sci. Rep., 38, 1 (2000)
  5. Porous Semiconductors --- Science and Technology. [ Extended Abstracts of II Int. Conf. (Madrid, 2000)]
  6. А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова. ФТП, 33, 198 (1999)
  7. В.Е. Примаченко, О.В. Снитко. Физика легированной металлами поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1988)
  8. В.М. Маевский, В.Е. Примаченко, О.В. Снитко, Н.Г. Фролова. Поверхность, N 1, 101 (1983)
  9. Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. УФЖ, 46, 1196 (2001)
  10. А.В. Саченко, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. ФТП, 12, 1445 (2001)
  11. Е.Ф. Венгер, Э.Б. Каганович, С.И. Кириллова, Э.Г. Манойлов, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников. ФТП, 33, 1330 (1999)
  12. Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай. УФЖ, 42, 1333 (1997)
  13. С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай, О.В. Снитко. Поверхность, N 11, 74 (1991)
  14. С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, А.А. Серба, В.А. Чернобай. Микроэлектроника, 29, 390 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.