"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование деформаций и дефектов кристаллической решетки, возникающих при окислении макропористого кремния
Астрова Е.В.1, Ратников В.В.1, Ременюк А.Д.1, Шульпина И.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Исследованы закономерности деформации пластин макропористого кремния в результате высокотемпературного окисления и определены основные параметры, влияющие на их изгиб и последующую релаксацию напряжений при удалении окисла. Методами рентгеновской дифрактометрии и топографии проведены измерения радиуса кривизны и параметра решетки, выявлены области генерации дислокаций. Величина деформации кремниевой решетки составляет ~ 10-4 в окисленном макропористом кремнии и уменьшается на порядок после растворения окисла. Пластическая часть деформации сопровождается генерацией дислокаций в наиболее напряженных областях структуры, т. е. на границе между пористым слоем и подложкой в вертикальном направлении и между центральной пористой областью и кромкой в горизонтальной плоскости. Их концентрация составляет ~ 104 см-2.
  1. V. Lehmann, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 137, 653 (1990)
  2. V. Lehmann, W. Honlein, H. Reisinger, A. Spitzer, H. Wendt, J. Willer. Thin Sol. Films, 276, 138 (1996)
  3. E.V. Astrova, V.B. Voronkov, I.V. Grekhov, A.N. Naschekin, A.G. Tkachenko. Phys. St. Sol. (a), 182, 145 (2000)
  4. V. Lehman, R. Stengl, H. Reisinger, R. Detemple, W. Theiss. Appl. Phys. Lett., 78, 589 (2001)
  5. В.В. Аристов, Л.Г. Шабельников, В.В. Старков, В.М. Цейтлин, С.М. Кузнецов, М.В. Григорьев. Микросистемная техника, N 8, 39 (2001)
  6. C.P. Beetz, R. Boerstler, J. Steinbeck, B. Lemieux, D.R. Winn. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 422, 443 (2000)
  7. P. Kleimann, J. Linnros, S. Peterson. Mater. Sci. Eng. B, 69--70, 29 (2000)
  8. F. Muller, A. Birner, J. Schilling, U. Gosele, Ch. Kettner, P. Hanggi. Porous Semiconductors --- Science and Technology [Materials of the 2nd Int. Conf., Madrid, March 2000] O-56
  9. U. Gruning, V. Lehmann. Appl. Phys. Lett., 68, 747 (1996)
  10. A. Birner, A.-P. Li, F. Muller, U. Gosele, P. Kramper, V. Sandoghdar, J. Mlynek, K. Bush, V. Lehmann. Mater. Sci. Semicond. Proc., 3, 487 (2000)
  11. M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, J. Reece, M. Gal. Nature, 412, 805 (2001)
  12. Wai Lek NG, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
  13. S.M. Hu. J. Appl. Phys., 70, R53 (1991)
  14. Е.В. Астрова, А.Д. Ременюк, А.Г. Ткаченко, И.Л. Шульпина. Письма в ЖТФ, 26 (24), 31 (2000)
  15. Е.В. Астрова, В.В. Ратников, А.Д. Ременюк, А.Г. Ткаченко, И.Л. Шульпина. Письма в ЖТФ, 27 (2), 1 (2001)
  16. G.A. Rozgonyi, C.A. Miller. Thin Sol. Films, 31, 185 (1976)
  17. R.N. Kyutt, T.S. Argunova. Nuovo Cimento, 19D, 267 (1997)
  18. И.Л. Шульпина. Кристаллография, 37, 451 (1992)
  19. J.R.J. Jaccodine, W.A. Schlegel. J. Appl. Phys., 37, 2429 (1966)
  20. A. Halimaoui. In: Porous Silicon. Science and Technology Winter School. Les Hauches, France, Febr. 8--12, 1994, ed. by J.-C. Vial, J. Derrien (Springer Verlag, Les Editions de Physique Les Ulis, 1995) p. 34
  21. Н.П. Захаров, А.В. Багдасарян. Механические явления в интегральных структурах (М., Радио и связь, 1992)
  22. K. Barla, A. Herino, G. Bomshil. J. Appl. Phys., 59, 439 (1986)
  23. C.S. Rafferty, R.W. Dutton. Appl. Phys. Lett., 54, 1815 (1989)
  24. H. Hsueh, A.G. Evans. J. Appl. C. Phys., 54, 6672 (1983)
  25. G.S. Stoney. Proc. R. Soc., Ser. A, 82, 172 (1925)
  26. S.M. Hu. J. Appl. Phys., 67, 1092 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.