Гистерезис фотонной зоны в фотонном кристалле VO2 при фазовом переходе полупроводник--металл
Голубев В.Г.1, Курдюков Д.А.1, Певцов А.Б.1, Селькин А.В.1, Шадрин Е.Б.1, Ильинский А.В.2, Боейинк Р.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Автономный университет г. Пуэбла, Пуэбла, Мексика
3Университет г. Утрехта, СС Утрехт, Нидерланды
Поступила в редакцию: 11 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.
Методом инфильтрации диоксида ванадия (VO2) в кристаллы опала, с последующим вытравливанием SiO2, синтезированы фотонные кристаллы на основе VO2, обладающие фазовым переходом полупроводник-металл в области температур 55-75oC. При исследовании оптических спектров отражения таких кристаллов установлено, что они характеризуются широкой фотонной запрещенной зоной (в направлении распространения света [111]) в видимой области спектра, энергетическое положение которой меняется скачком при фазовом переходе. Измерены температурный сдвиг и гистерезис положения фотонной запрещенной зоны. В рамках модели слоистой периодической среды выполнены количественные расчеты спектров отражения фотонных кристаллов опала и VO2, получены численные значения геометрических параметров и оптических констант исследованных трехмерно-периодических структур.
- Н.Ф. Мотт. Переходы металл--изолятор (М., Наука, 1979) с. 342. [Пер. с англ.: N.F. Mott. Metall--insulator transitions (London, Taylor and Francis LTD, 1974)]
- А.А. Бугаев, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский. Фазовый переход металл--полупроводник и его применение (Л., Наука, 1979) с. 183
- Е.Б. Шадрин, А.В. Ильинский. ФТТ, 42, 1092 (2000)
- A. Cavalleri, Cs. Toth, C.W. Siders, J.A. Squier, F. Raksi, P. Forget, J.C. Kieffer. Phys. Rev. Lett., 87, 237401--1 (2001)
- Photonic Band Gap Materials, ed. by C.M. Soukoulis. Advanced Studies Institute of NATO, Ser. E, 315, (Kluwer, Dordrecht, 1996)
- A. Birner, R.B. Wehrspohn, U.M. Gosele, K. Busch. Adv. Matter., 13, 377 (2001)
- V.G. Golubev, V.Yu. Davydov, N.F. Kartenko, D.A. Kurdyukov, V.A. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Scherbakov, E.B. Shadrin. Appl. Phys. Lett., 79, 2127 (2001)
- Y. Xia, B. Gates, Y. Yin, Y. Lu. Adv. Mater., 12, 693 (2000)
- В.Г. Голубев, В.А. Кособукин, Д.А. Курдюков, А.В. Медведев, А.Б. Певцов. ФТП, 35, 710 (2001)
- W. Bruckner, H. Opperman, W. Reicheld, E.I. Terukov, F.A. Tschudnovskii, E. Wolf. Vanadium Oxide (Akademy Verlag, Berlin, 1983) p. 251
- Yu.A. Vlasov, M.A. Kaliteevski, V.V. Nikolaev. Phys. Rev. B, 60, 1555 (1999)
- H.S. Sozuer, J.W. Haus, R. Inguva. Phys. Rev. B, 45, 13 942 (1992)
- Yu.A. Vlasov, V.N. Astratov, A.V. Baryshev, A.A. Kaplyanskii, O.Z. Karimov, M.F. Limonov. Phys. Rev. E, 61, 5784 (2000)
- Е.И. Никулин, Ф.А. Чудновский, Е.Б. Шадрин, Д.А. Мясников. ЖТФ, 58 (12), 2411 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.