Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2002, выпуск 9 » Статья стр. 1122
<<<>>>
Гистерезис фотонной зоны в фотонном кристалле VO2 при фазовом переходе полупроводник--металл
Голубев В.Г.1, Курдюков Д.А.1, Певцов А.Б.1, Селькин А.В.1, Шадрин Е.Б.1, Ильинский А.В.2, Боейинк Р.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Автономный университет г. Пуэбла, Пуэбла, Мексика
3Университет г. Утрехта, СС Утрехт, Нидерланды
Поступила в редакцию: 11 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.
PDF версия
Методом инфильтрации диоксида ванадия (VO2) в кристаллы опала, с последующим вытравливанием SiO2, синтезированы фотонные кристаллы на основе VO2, обладающие фазовым переходом полупроводник-металл в области температур 55-75oC. При исследовании оптических спектров отражения таких кристаллов установлено, что они характеризуются широкой фотонной запрещенной зоной (в направлении распространения света [111]) в видимой области спектра, энергетическое положение которой меняется скачком при фазовом переходе. Измерены температурный сдвиг и гистерезис положения фотонной запрещенной зоны. В рамках модели слоистой периодической среды выполнены количественные расчеты спектров отражения фотонных кристаллов опала и VO2, получены численные значения геометрических параметров и оптических констант исследованных трехмерно-периодических структур.
  1. Н.Ф. Мотт. Переходы металл--изолятор (М., Наука, 1979) с. 342. [Пер. с англ.: N.F. Mott. Metall--insulator transitions (London, Taylor and Francis LTD, 1974)]
  2. А.А. Бугаев, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский. Фазовый переход металл--полупроводник и его применение (Л., Наука, 1979) с. 183
  3. Е.Б. Шадрин, А.В. Ильинский. ФТТ, 42, 1092 (2000)
  4. A. Cavalleri, Cs. Toth, C.W. Siders, J.A. Squier, F. Raksi, P. Forget, J.C. Kieffer. Phys. Rev. Lett., 87, 237401--1 (2001)
  5. Photonic Band Gap Materials, ed. by C.M. Soukoulis. Advanced Studies Institute of NATO, Ser. E, 315, (Kluwer, Dordrecht, 1996)
  6. A. Birner, R.B. Wehrspohn, U.M. Gosele, K. Busch. Adv. Matter., 13, 377 (2001)
  7. V.G. Golubev, V.Yu. Davydov, N.F. Kartenko, D.A. Kurdyukov, V.A. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Scherbakov, E.B. Shadrin. Appl. Phys. Lett., 79, 2127 (2001)
  8. Y. Xia, B. Gates, Y. Yin, Y. Lu. Adv. Mater., 12, 693 (2000)
  9. В.Г. Голубев, В.А. Кособукин, Д.А. Курдюков, А.В. Медведев, А.Б. Певцов. ФТП, 35, 710 (2001)
  10. W. Bruckner, H. Opperman, W. Reicheld, E.I. Terukov, F.A. Tschudnovskii, E. Wolf. Vanadium Oxide (Akademy Verlag, Berlin, 1983) p. 251
  11. Yu.A. Vlasov, M.A. Kaliteevski, V.V. Nikolaev. Phys. Rev. B, 60, 1555 (1999)
  12. H.S. Sozuer, J.W. Haus, R. Inguva. Phys. Rev. B, 45, 13 942 (1992)
  13. Yu.A. Vlasov, V.N. Astratov, A.V. Baryshev, A.A. Kaplyanskii, O.Z. Karimov, M.F. Limonov. Phys. Rev. E, 61, 5784 (2000)
  14. Е.И. Никулин, Ф.А. Чудновский, Е.Б. Шадрин, Д.А. Мясников. ЖТФ, 58 (12), 2411 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme