Вышедшие номера
Гистерезис фотонной зоны в фотонном кристалле VO2 при фазовом переходе полупроводник--металл
Голубев В.Г.1, Курдюков Д.А.1, Певцов А.Б.1, Селькин А.В.1, Шадрин Е.Б.1, Ильинский А.В.2, Боейинк Р.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Автономный университет г. Пуэбла, Пуэбла, Мексика
3Университет г. Утрехта, СС Утрехт, Нидерланды
Поступила в редакцию: 11 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Методом инфильтрации диоксида ванадия (VO2) в кристаллы опала, с последующим вытравливанием SiO2, синтезированы фотонные кристаллы на основе VO2, обладающие фазовым переходом полупроводник-металл в области температур 55-75oC. При исследовании оптических спектров отражения таких кристаллов установлено, что они характеризуются широкой фотонной запрещенной зоной (в направлении распространения света [111]) в видимой области спектра, энергетическое положение которой меняется скачком при фазовом переходе. Измерены температурный сдвиг и гистерезис положения фотонной запрещенной зоны. В рамках модели слоистой периодической среды выполнены количественные расчеты спектров отражения фотонных кристаллов опала и VO2, получены численные значения геометрических параметров и оптических констант исследованных трехмерно-периодических структур.