"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние условий отжига на испарение дефектных областей в структурах с квантовыми точками InGaAs в матрице GaAs
Сизов Д.С.1, Максимов М.В.1, Цацульников А.Ф.1, Черкашин Н.А.1, Крыжановская Н.В.1, Жуков А.Б.1, Малеев Н.А.1, Михрин С.С.1, Васильев А.П.1, Селин Р.2, Устинов В.М.1, Леденцов Н.Н.1, Бимберг Д.2, Алфёров Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 11 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Методом фотолюминесценции и электронной микроскопии на просвет исследованы структуры с квантовыми точками In(Ga)As в матрице GaAs, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Структуры были подвергнуты технологии in-situ селективного термического удаления дефектных областей. На основе результатов анализа люминесцентных свойств предложен метод оценки кристаллографического совершенства структур при помощи измерения интенсивности фотолюминесценции матрицы GaAs при высоких температурах измерения (до 400 K). Исследованы методики удаления дефектов с применением как однократного селективного удаления дефектных островков InAs при 600oC, так и двухстадийной методики, дополнительно включающей в себя селективное заращивание тонким слоем AlAs и высокотемпературный (650-700oC) отжиг. Найдены оптимальные режимы процесса, позволяющие получать структуры со сравнительно малым количеством дефектов без значительного уменьшения плотности когерентных квантовых точек.
  1. Н.Н. Леденцов. Тез. докл. IX нац. конф. по росту кристаллов (Москва, 15--20 октября 2000 г.)
  2. P. Gyoungwon, O.B. Shchekin, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. IEEE Phot. Techn. Lett., 12 (3), 230 (2000)
  3. R.L. Sellin, Ch. Ribbat, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 78, 1207 (2001)
  4. S. Seki, H. Oohasi, H. Sugiura, T. Hirono, K. Yokoyama. J. Appl. Phys., 79, 2192 (1996)
  5. B.B. Elenkrig, S. Smetona, J.G. Simmons, T. Makino, J.D. Evans. J. Appl. Phys., 85, 2367 (1999)
  6. O.B. Shchekin, G. Park, D.L. Huffaker, Q. Mo, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 77, 486 (2000)
  7. J.K. Kim, R.L. Naone, L.A. Coldren. IEEE J. Selected Topics in Quant Electron., 6 (3), 504 (2000)
  8. N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov, M.V. Maximov, Zh.I. Alferov, V.P. Kalosha, J.A. Lott. Semicond. Sci. Technol., 14, 99 (1999)
  9. P. Borri, S. Schneider, W. Langbein, U. Woggon, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, D. Quyang, D. Bimber. Appl. Phys. Lett., 79, 2633 (2001)
  10. F. Ferdos, M. Sadeghi, Q.X. Zhao, S.M. Wang, A. Larsson. J. Cryst. Growth, 227, 1140 (2001)
  11. A. Passaseo, G. Maruccio, M. De Vittorio, R. Rinaldi, R. Cingolani, M. Lomascolo. Appl. Phys. Lett., 78, 1382 (2001)
  12. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000)
  13. G.T. Liu, A. Stintz, H. Li, K.J. Malloy, L.F. Lester. Electron. Lett., 35, 1163 (1999)
  14. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, B.V. Molovik, D.A. Bedarev, Yu.M. Shernyakov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 75, 1926 (1999)
  15. M. Grundmann, F. Heinrichsdorff, N.N. Ledentsov, C. Ribbat, D. Bimberg, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, D.A. Lifshits, V.M. Ustinov, Z.I. Alferov. Jap. J. Appl. Phys., 39, pt 1, 2341 (2000)
  16. J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Abstract Book LEOS 2000 (Rio Grande, Puerto Rico, Nov. 13--16, 2000) p. 304
  17. А.В. Сахаров, И.Л. Крестников, Н.А. Малеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг, Ж.А. Лотт, Ж.И. Алфёров. ФТП, 35, 889 (2001).
  18. P. Gyoungwon, O.B. Shchekin, S. Csutak, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 75, 3267 (1999)
  19. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  20. A. Passaseo, G. Maruccio, M. De Vittorio, R. Rinaldi, R. Cingolani, M. Lomascolo. Appl. Phys. Lett., 78, 1382 (2001)
  21. N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, D. Bimberg, T. Maka, C.M. Sotomayor Torres, I.V. Kochnev, I.L. Krestnikov, V.M. Lantratov, N.A. Cherkashin, Yu.M. Musikhin, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 15, 604 (2000)
  22. И.Л. Крестников, Н.А. Черкашин, Д.С. Сизов, Д.А. Бедарев, И.В. Кочнев, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов. Письма ЖТФ, N 6, 34 (2001). [I.L. Krestnikov, N.A. Cherkashin, D.S. Sizov, D.A. Bedarev, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov. Techn. Phys. Lett., 27, 6 (2001)]
  23. O. Stier, M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 59, 5688 (1999)
  24. G.T. Liu, A. Stintz, H. Li, T.C. Newell, A.L. Gray, P.M. Varangis, K.J. Malloy, L.F. Lester. IEEE J. Quant. Electron., 36, 1272 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.