Вышедшие номера
Механизм диффузии Cu вдоль поверхности Si(110)
Долбак А.Е.1, Жачук Р.А.1, Ольшанецкий Б.З.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Методами электронной оже-спектроскопии и дифракции медленных электронов исследован механизм диффузии Cu вдоль атомарно-чистой поверхности кремния (110) в диапазоне температур 500-650oC. Показано, что перенос меди вдоль поверхности кремния осуществляется путем ее диффузии через объем кремния и сегрегации атомов меди на поверхность в процессе диффузии. Получены зависимости эффективных коэффициентов диффузии Cu вдоль поверхности Si(110) от температуры. Проводится сравнение результатов, полученных на поверхностях Si(110) с результатами, полученными ранее на поверхности Si(111).