"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Легирование слоев GaAs кремнием в условиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
Вилисова М.Д.1, Куницын А.Е.2, Лаврентьева Л.Г.3, Преображенский В.В.4, Путято М.А.4, Семягин Б.Р.4, Торопов С.Е.3, Чалдышев В.В.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 8 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

С использованием методов рентгеновской дифракции, оптического поглощения в ближнем инфракрасном диапазоне и эффекта Холла исследовано влияние условий роста на структуру и свойства слоев GaAs, выращенных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных кремнием. Проанализирована связь между захватом избыточного мышьяка и электрофизическими свойствами слоев.
  1. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 54, 1881 (1989)
  2. Kin Man Yu, M. Kaminska, Z. Liliental-Weber. J. Appl. Phys., 72, 2850 (1992)
  3. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  4. И.А. Бобровникова, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семякин, С.В. Субач, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. Изв. вузов. Физика, N 9, 37 (1998)
  5. X. Liu, A. Prasad, W.M. Chen, A. Kurpiewski, A. Stoschek, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 65, 3002 (1994)
  6. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
  7. M. Luysberg, M. Sohn, A. Prasad, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83, 561 (1998)
  8. M. Missous, S. O'Hagan. J. Appl. Phys., 75, 3396 (1994)
  9. S. O'Hagan, M. Missous. J. Appl. Phys., 75, 7835 (1994)
  10. A. Suda, N. Otsuka. Surf. Sci., 458, 162 (2000)
  11. S. Fukushima, T. Obata, N. Otsuka. J. Appl. Phys., 89, 380 (2001)
  12. T.E.M. Staab, R.M. Nieminen, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, M. Luysberg, M. Haugh, T.H. Frauenheim. Phys. Rev. Lett., 87, N4 (2001)
  13. J. Gebauer, F. Borner, R. Krause-Rehberg, T.E. Staab, W. Bauer-Kugelmann, G. Kogel, W. Triftshauser, P. Specht, R.C. Lutz, E.R. Weber, M. Luysberg. J. Appl. Phys., 87, 8368 (2000)
  14. T. Laine, K. Saarinen, P. Hautojarvi, C. Corbel, M. Missous. J. Appl. Phys., 86, 1988 (1999)
  15. А.Е. Куницын, В.В. Чалдышев, С.П. Вуль, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 33, 1187 (1999)
  16. D.E. Bliss, W. Walukiewicz, J.W. Ager, E.E. Haller, K.T. Chan, S. Tanigawa. J. Appl. Phys., 71, 1699 (1992)
  17. М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, С.В. Субач, М.П. Якубеня, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев. ФТП., 33, 900 (1999)
  18. В.Н. Брудный, М.Д. Вилисова, Л.П. Пороховниченко. Изв. вузов. Физика, N 10, 57 (1992)
  19. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
  20. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев. ФТП, 32, 315 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.