Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Легирование слоев GaAs кремнием в условиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии

Вилисова М.Д.¹, Куницын А.Е.², Лаврентьева Л.Г.³, Преображенский В.В.⁴, Путято М.А.⁴, Семягин Б.Р.⁴, Торопов С.Е.³, Чалдышев В.В.²

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

⁴Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 8 января 2002 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С использованием методов рентгеновской дифракции, оптического поглощения в ближнем инфракрасном диапазоне и эффекта Холла исследовано влияние условий роста на структуру и свойства слоев GaAs, выращенных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных кремнием. Проанализирована связь между захватом избыточного мышьяка и электрофизическими свойствами слоев.

M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 54, 1881 (1989)
Kin Man Yu, M. Kaminska, Z. Liliental-Weber. J. Appl. Phys., 72, 2850 (1992)
Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
И.А. Бобровникова, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семякин, С.В. Субач, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. Изв. вузов. Физика, N 9, 37 (1998)
X. Liu, A. Prasad, W.M. Chen, A. Kurpiewski, A. Stoschek, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 65, 3002 (1994)
X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
M. Luysberg, M. Sohn, A. Prasad, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83, 561 (1998)
M. Missous, S. O'Hagan. J. Appl. Phys., 75, 3396 (1994)
S. O'Hagan, M. Missous. J. Appl. Phys., 75, 7835 (1994)
A. Suda, N. Otsuka. Surf. Sci., 458, 162 (2000)
S. Fukushima, T. Obata, N. Otsuka. J. Appl. Phys., 89, 380 (2001)
T.E.M. Staab, R.M. Nieminen, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, M. Luysberg, M. Haugh, T.H. Frauenheim. Phys. Rev. Lett., 87, N4 (2001)
J. Gebauer, F. Borner, R. Krause-Rehberg, T.E. Staab, W. Bauer-Kugelmann, G. Kogel, W. Triftshauser, P. Specht, R.C. Lutz, E.R. Weber, M. Luysberg. J. Appl. Phys., 87, 8368 (2000)
T. Laine, K. Saarinen, P. Hautojarvi, C. Corbel, M. Missous. J. Appl. Phys., 86, 1988 (1999)
А.Е. Куницын, В.В. Чалдышев, С.П. Вуль, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 33, 1187 (1999)
D.E. Bliss, W. Walukiewicz, J.W. Ager, E.E. Haller, K.T. Chan, S. Tanigawa. J. Appl. Phys., 71, 1699 (1992)
М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, С.В. Субач, М.П. Якубеня, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев. ФТП., 33, 900 (1999)
В.Н. Брудный, М.Д. Вилисова, Л.П. Пороховниченко. Изв. вузов. Физика, N 10, 57 (1992)
V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев. ФТП, 32, 315 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель