"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Полевая зависимость фоточувствительности МДП структур In--SiO2--Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом
Васильев В.В.1, Кравченко А.Ф.1, Машуков Ю.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 30 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Продолжено исследование фоточувствительности МДП структуры In--SiO2--Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом. Рассматривается эффект резкого уменьшения фоточувствительности при повышении инвертирующего напряжения, который проявляется как при немодулированном освещении (измерение фотоемкости), так и при модулированном (измерение фотоэдс), причем фотоэдс начинает спадать раньше, чем фотоемкость. Эффект обусловлен, по нашему мнению, аномальной генерацией на границе полупроводник--диэлектрик, в результате которой уменьшается сопротивление индуцированного p-n-перехода, а также возрастанием продольного сопротивления инверсионного слоя.
  1. В.Н. Овсюк, В.В. Васильев, Ю.П. Машуков. ФТП, 34 (7), 822 (2000)
  2. В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, 1984)
  3. R.S. Nakhmanson, P.P. Dobrovolski, S.S. Amineva. Phys. St. Sol. (a), 9 (2), 699 (1972)
  4. Ю.В. Настаушев, И.Г. Неизвестный, В.Н. Овсюк. Поверхность. Физика, химия, механика, 11, 1126 (1984)
  5. А.А. Гузев, Г.Л. Курышев, В.Г. Половинкин, В.А. Усова. Микроэлектроника, 17 (5), 465 (1988)
  6. В.В. Васильев, Ю.П. Машуков, В.Н. Овсюк. ФТП, 31 (6), 749 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.