"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптическая память гетероструктуры n-InSb--SiO2--p-Si
Никольский Ю.А.1
1Борисоглебский государственный педагогический институт, Борисоглебск, Россия
Поступила в редакцию: 18 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

В гетероструктуре n-InSb-SiO2-p-Si легко реализуются необходимые условия для существования оптической памяти - наличие потенциальных барьеров и глубоких ловушек. Коэффициент памяти, измеренный на прямой ветви вольт-амперной характеристики, составляет максимальную величину ~104. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их.
  1. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
  2. В.Б. Сандомирский, А.Г. Ждан, М.А. Мессерер, И.Б. Гуляев. ФТП, 7, 1314 (1973)
  3. А.Я. Шик. ЖЭТФ, 68, 1859 (1975)
  4. М.К. Шейнкман, И.В. Маркевич, В.А. Хвостов. ФТП, 5, 1904 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.