"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Примесные атомы цинка в GaP, GaAs и GaSb, изученные методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах 67Ga(67Zn) и 67Cu(67Zn)
Серегин Н.П.1, Немов С.А.1, Иркаев С.М.2
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Мессбауэровские спектры примесных атомов 67Ga(67Zn) и 67Cu(67Zn) в объемной части образцов GaP, GaAs и GaSb отвечают изолированным центрам цинка в узлах галлия. Наблюдается сдвиг центра тяжести спектров в область увеличивающихся положительных скоростей при переходе от дырочных к электронным образцам и это соответствует перезарядке мелкого примесного центра цинка. Мессбауэровские спектры примесных атомов 67Cu(67Zn) в приповерхностной области образцов представляют собой суперпозицию спектров, отвечающих изолированным центрам цинка в узлах галлия, и спектров, отвечающих ассоциатам цинка с вакансией мышьяка.
  1. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.