Вышедшие номера
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии
Булаев П.В.1, Капитонов В.А.2, Лютецкий А.В.2, Мармалюк А.А.1, Никитин Д.Б.1, Николаев Д.Н.2, Падалица А.А.1, Пихтин Н.А.2, Бондарев А.Д.2, Залевский И.Д.1, Тарасов И.С.2
1ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Разработана технология МОС-гидридной эпитаксии лазерных гетероструктур в системе твердых растворов InGaAs/GaAs/AlGaAs и оптимизированы геометрия и профиль легирования структуры для снижения внутренних оптических потерь. Изготовлены меза-полосковые лазерные диоды с пороговыми плотностями тока Jth=150-200 A/см2, внутренними оптическими потерями alphai=1.6-1.9 см-1 и внутренним квантовым выходом etai=85-95%. Получена в непрерывном режиме генерации оптическая мощность излучения 6.5 Вт из лазерного диода с апертурой 100 мкм на длине волны излучения 0.98 мкм, ограниченная катастрофической оптической деградацией зеркал. Расходимость излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, составляла theta normal =25-30o. Показано, что использование широкозонных волноводных слоев, увеличивающих глубину потенциальной ямы активной области для электронов, снижает температурную чувствительность лазерных гетероструктур в системе твердых растворов InGaAs/GaAs/AlGaAs в температурном диапазоне 0-70oC.