Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии

Булаев П.В.¹, Капитонов В.А.², Лютецкий А.В.², Мармалюк А.А.¹, Никитин Д.Б.¹, Николаев Д.Н.², Падалица А.А.¹, Пихтин Н.А.², Бондарев А.Д.², Залевский И.Д.¹, Тарасов И.С.²

¹ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия Sigm Plus Co, Moscow, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 4 марта 2002 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

PDF версия

Разработана технология МОС-гидридной эпитаксии лазерных гетероструктур в системе твердых растворов InGaAs/GaAs/AlGaAs и оптимизированы геометрия и профиль легирования структуры для снижения внутренних оптических потерь. Изготовлены меза-полосковые лазерные диоды с пороговыми плотностями тока J_th=150-200 A/см², внутренними оптическими потерями alpha_i=1.6-1.9 см^-1 и внутренним квантовым выходом eta_i=85-95%. Получена в непрерывном режиме генерации оптическая мощность излучения 6.5 Вт из лазерного диода с апертурой 100 мкм на длине волны излучения 0.98 мкм, ограниченная катастрофической оптической деградацией зеркал. Расходимость излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, составляла theta_normal=25-30^o. Показано, что использование широкозонных волноводных слоев, увеличивающих глубину потенциальной ямы активной области для электронов, снижает температурную чувствительность лазерных гетероструктур в системе твердых растворов InGaAs/GaAs/AlGaAs в температурном диапазоне 0-70^oC.

D.A. Livshits, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, T.A. Nalyot, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 36, 1848 (2000)
Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев, В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов. ФТП, 35 (3), 380 (2001)
Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТП, 35 (11), 1380 (2001)
Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 34 (7), 886 (2000)
A. Al-Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Connolly. Appl. Phys. Lett., 62, 2402 (1993)
X. He, S. Srinivasan, S. Wilson, C. Mitchell, R. Patel. Electron. Lett., 34, 2126 (1998)
Ж.И. Алферов, Н.И. Кацавец, В.Д. Петриков, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 30 (3), 474 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель