Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии
1ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.
Разработана технология МОС-гидридной эпитаксии лазерных гетероструктур в системе твердых растворов InGaAs/GaAs/AlGaAs и оптимизированы геометрия и профиль легирования структуры для снижения внутренних оптических потерь. Изготовлены меза-полосковые лазерные диоды с пороговыми плотностями тока Jth=150-200 A/см2, внутренними оптическими потерями alphai=1.6-1.9 см-1 и внутренним квантовым выходом etai=85-95%. Получена в непрерывном режиме генерации оптическая мощность излучения 6.5 Вт из лазерного диода с апертурой 100 мкм на длине волны излучения 0.98 мкм, ограниченная катастрофической оптической деградацией зеркал. Расходимость излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, составляла theta normal =25-30o. Показано, что использование широкозонных волноводных слоев, увеличивающих глубину потенциальной ямы активной области для электронов, снижает температурную чувствительность лазерных гетероструктур в системе твердых растворов InGaAs/GaAs/AlGaAs в температурном диапазоне 0-70oC.
- D.A. Livshits, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, T.A. Nalyot, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 36, 1848 (2000)
- Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев, В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов. ФТП, 35 (3), 380 (2001)
- Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТП, 35 (11), 1380 (2001)
- Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 34 (7), 886 (2000)
- A. Al-Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Connolly. Appl. Phys. Lett., 62, 2402 (1993)
- X. He, S. Srinivasan, S. Wilson, C. Mitchell, R. Patel. Electron. Lett., 34, 2126 (1998)
- Ж.И. Алферов, Н.И. Кацавец, В.Д. Петриков, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 30 (3), 474 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
