Построена строгая аналитическая теория блокирующего состояния тиристоров и транзисторов с электростатическим управлением (ТЭУ) и скрытым затвором произвольной формы. Задачи о распределении потенциала в базе, высоте барьера для электронов и вольт-амперной характеристике в подпороговой области решены в квадратурах методом конформных отображений. Показано, что подпороговый ток j_d для ТЭУ с нелегированной и слабо легированной базой зависит от потенциалов затвора U_g и стока U_d по закону ln j_d propto - U_g(g-U_d/U_g)^3/2 вне зависимости от типа проводимости, где g - коэффициент блокирования. Если база сильно легирована акцепторами, то ln j_d propto - (gU_g-U_d)², однако для транзисторов с электростатическим управлением с сильно легированной базой n-типа аналитическое решение задачи невозможно. В качестве примера подробно рассмотрен вариант глубокого скрытого затвора квазиэллиптической формы, соответствующий конфигурациям реальных приборов. В предельных случаях получены простые формулы для g и параметров вольт-амперных характеристик в зависимости от размеров ячейки ТЭУ, легирования базы и потенциала затвора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.