"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О температурной и полевой зависимости эффективной поверхностной подвижности в МДП структурах
Гергель В.А.1, Тимофеев М.В.1, Зеленый А.П.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Построена физическая модель, устанавливающая связь между поверхностной плотностью свободного электронного заряда инверсионного слоя и поверхностной концентрацией неподвижных (локализованных) электронов, захваченных поверхностными состояниями границы раздела полупроводник--диэлектрик. Установлено, что при не слишком низких температурах эта связь близка к прямой пропорциональности. При этом наличие поверхностных состояний, локализующих часть поверхностного электронного заряда, проявляется как уменьшение эффективной подвижности электронов в канале МДП транзистора. Известное уменьшение поверхностной подвижности с ростом поперечного электрического поля трактуется как следствие полевых изменений положения уровня протекания, отделяющего связанные электронные состояния от свободных.
  1. В. Гергель, Г. Шпатаковская. ЖЭТФ, 102, вып. 2(8), 640 (1992)
  2. В. Гергель, Г. Шпатаковская. ФТП, 27, 923 (1993)
  3. В. Гергель, Р. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
  4. В. Гергель. ФТП, 17, 637 (1983)
  5. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  6. A. Sabnis, J. Clemens. In: IEEE Tech. Dig. Int. Electron. Dev. Meet. (1979) p. 18
  7. Б. Шкловский, А. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.