Исследована стойкость туннельно-тонких (2/3 нм) пленок SiO₂ к длительному протеканию токов высокой плотности (10²/10³ А/см²). Обнаружено резкое возрастание заряда, который туннельная МОП структура способна пропустить через себя без деградации при переходе от инжекции Фаулера-Нордгейма к прямому туннелированию (соответственно 10³ Кл/см² и 10⁷ Кл/см²). Исследование деградации пленок SiO₂ проводилось с использованием тиристорных структур Al/SiO₂/n-Si/p⁺-Si при положительном смещении на полупроводнике, т. е. при обратном смещении МОП структуры. Это позволило обеспечить однородность распределения тока по площади, а также контролировать состояние диэлектрического слоя путем измерения усиления прибора в фототранзисторном режиме.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.