"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Деградация туннельных МОП структур при высокой плотности тока
Грехов И.В.1, Шулекин А.Ф.1, Векслер М.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Исследована стойкость туннельно-тонких (2/3 нм) пленок SiO2 к длительному протеканию токов высокой плотности (102/103 А/см2). Обнаружено резкое возрастание заряда, который туннельная МОП структура способна пропустить через себя без деградации при переходе от инжекции Фаулера--Нордгейма к прямому туннелированию (соответственно 103 Кл/см2 и 107 Кл/см2). Исследование деградации пленок SiO2 проводилось с использованием тиристорных структур Al/SiO2/n-Si/p+-Si при положительном смещении на полупроводнике, т. е. при обратном смещении МОП структуры. Это позволило обеспечить однородность распределения тока по площади, а также контролировать состояние диэлектрического слоя путем измерения усиления прибора в фототранзисторном режиме.
  1. M. Depas, B. Vermeire, P.W. Mertens, M. Meeuris, M.M. Heyns. Semicond. Sci. Technol., 10, 753 (1995)
  2. M. Depas, T. Nigam, M.M. Heyns. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-43, 1449 (1996)
  3. D.J. DiMaria. Appl. Phys. Let., 68, 3004 (1996)
  4. D.J. DiMaria, E. Cartier, D. Arnold. J. Appl. Phys., 79, 3367 (1993)
  5. D.J. DiMaria, D. Arnold, E. Cartier. Appl. Phys. Lett., 61, 2329 (1992)
  6. H.S. Momose, M. Ono, T. Yoshitomi, T. Ohguro, A. Nakamura, M. Saito, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-43, 1233 (1996)
  7. J.G. Simons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., 29, 287 (1986)
  8. I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, N.I. Vexler. Sol. St. Electron., 38, N 3, 1533 (1995)
  9. T. Yoshimoto, K. Suzuki. Jpn. J. Appl. Phys., 32, L180 (1993)
  10. W.K. Choi, A.E. Owen. J. Appl. Phys., 68, 6447 (1990)
  11. K.M. Chu, D.L. Pulfrey. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-35, 188 (1988)
  12. S.V. Belov, I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Thin. Sol. Films, 294, 281 (1997)
  13. Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 28, 1314 (1994)
  14. M.I. Vexler. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-42, 656 (1995)
  15. K.R. Farmer, M.O. Andersson, O. Engstrom. Appl. Phys. Lett., 58, 2666 (1991)
  16. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  17. W.A. Harrison. Phys. Rev., 123, 85 (1961)
  18. L.A. Kasprzak, R.B. Laibowitz, M. Ohring. J. Appl. Phys., 48, 4281 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.