С помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследовано влияние атомов Ge на поведение Mn в Si. Показано, что атомы Ge, введенные в Si в процессе выращивания, не проявляют электрической активности, хотя их концентрация достаточно высокая: 10¹⁶/ 10¹⁹ см^-3. Установлено, что наличие атомов Ge в решетке Si приводит к увеличению эффективности образования глубоких уровней E_c-0.42 эВ и E_c-0.54 эВ, связанных с Mn в решетке Si: концентрация этих глубоких уровней в образцах Si<Ge, Mn> в 3-4 раза выше, чем в Si<Mn>. Обнаружено, что присутствие атомов Ge стабилизирует свойства уровней Mn в Si: их отжиг происходит в 5-6 раз медленнее, чем в Si<Mn>. Предполагается, что обнаруженные эффекты связаны с особенностями дефектной структуры Si, легированного Ge и Mn.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.