Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Глубокие состояния в delta-легированном кремнием GaAs
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 14 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.
Исследованы плотность глубоких состояний и сечения захвата на них электронов в delta-легированном кремнием GaAs с помощью измерений зависимостей от напряжения и температуры импеданса барьера Шоттки к структуре. Обнаружено, что при концентрации кремния в delta-слое более 6·1012 см-2 в запрещенной зоне появляются хвосты плотности состояний. В наших струтурах энергия, характеризующая глубину проникновения хвоста, изменялась в интервале 20/100 мэВ. Характерная величина сечения захвата электронов на глубокие состояния в delta-слоях была порядка 10-17 см2. Показано, что насыщение концентрации электронов в delta-слое с ростом концентрации Si обусловлено автокомпенсацией Si.
- C.E. Wood, G. Metze, J. Berry, L.F. Eastman. J. Appl. Phys., 51, 383 (1980)
- А.Я. Шик. ФТП, 26, 1161 (1992)
- E.F. Schubert, J.B. Stark, B. Ullrich, J.E. Cunningham. Appl. Phys. Lett., 52, 1508 (1988)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) гл. 11, с. 321
- K. Ploog, M. Hauser, A. Ficher. Appl. Phys. A, 45, 233 (1988)
- Y. Yamanchi, T. Makimoto, Y. Horikoshi. Japan. J. Appl. Phys., 28, L1689 (1986)
- E.F. Shubert, R.F. Korf, J.M. Kuo, H.S. Luftman, P.A. Garbinski. Appl. Phys. Lett., 57, 497 (1990)
- H.C. Nutt, R.S. Smith, M. Towers, P.K. Rees, D.J. James. J. Appl. Phys., 70, 821 (1991)
- A. Zrenner, F. Koch, R.L. Williams, R.A. Stradling, K. Ploog, G. Weimann. Semicond. Sci. Technol., 3, 1203 (1988)
- W.G. Oldham, S.S. Naik. Sol. St. Electron., 15, 1085 (1972)
- C. Ghezzi. Appl. Phys. A, 26, 191 (1982)
- В.Я. Алешкин. ФТП, 30, 2202 (1996)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990) гл. 6, с. 214
- В.М. Данильцев, И.В. Ирин, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Неорг. матер., 30, 1026 (1994)
- A.V. Buyanov, P.O. Holtz, W.M. Chen, B. Monemar, T.G. Anderson, J. Thordson. Appl. Phys. Lett., 68, 3464 (1996)
- B. Johnson, P.M. Koenraad, W.C. van der Vleuten, H.W.M. Saleminh, J.H. Wolter. Phys. Rev. Lett., 75, 1606 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
