Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Глубокие состояния в delta-легированном кремнием GaAs

Алешкин В.Я.¹, Данильцев В.М.¹, Мурель А.В.¹, Хрыкин О.И.¹, Шашкин В.И.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 14 июля 1997 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

PDF версия

Исследованы плотность глубоких состояний и сечения захвата на них электронов в delta-легированном кремнием GaAs с помощью измерений зависимостей от напряжения и температуры импеданса барьера Шоттки к структуре. Обнаружено, что при концентрации кремния в delta-слое более 6·10¹² см^-2 в запрещенной зоне появляются хвосты плотности состояний. В наших струтурах энергия, характеризующая глубину проникновения хвоста, изменялась в интервале 20/100 мэВ. Характерная величина сечения захвата электронов на глубокие состояния в delta-слоях была порядка 10^-17 см². Показано, что насыщение концентрации электронов в delta-слое с ростом концентрации Si обусловлено автокомпенсацией Si.

C.E. Wood, G. Metze, J. Berry, L.F. Eastman. J. Appl. Phys., 51, 383 (1980)
А.Я. Шик. ФТП, 26, 1161 (1992)
E.F. Schubert, J.B. Stark, B. Ullrich, J.E. Cunningham. Appl. Phys. Lett., 52, 1508 (1988)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) гл. 11, с. 321
K. Ploog, M. Hauser, A. Ficher. Appl. Phys. A, 45, 233 (1988)
Y. Yamanchi, T. Makimoto, Y. Horikoshi. Japan. J. Appl. Phys., 28, L1689 (1986)
E.F. Shubert, R.F. Korf, J.M. Kuo, H.S. Luftman, P.A. Garbinski. Appl. Phys. Lett., 57, 497 (1990)
H.C. Nutt, R.S. Smith, M. Towers, P.K. Rees, D.J. James. J. Appl. Phys., 70, 821 (1991)
A. Zrenner, F. Koch, R.L. Williams, R.A. Stradling, K. Ploog, G. Weimann. Semicond. Sci. Technol., 3, 1203 (1988)
W.G. Oldham, S.S. Naik. Sol. St. Electron., 15, 1085 (1972)
C. Ghezzi. Appl. Phys. A, 26, 191 (1982)
В.Я. Алешкин. ФТП, 30, 2202 (1996)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990) гл. 6, с. 214
В.М. Данильцев, И.В. Ирин, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Неорг. матер., 30, 1026 (1994)
A.V. Buyanov, P.O. Holtz, W.M. Chen, B. Monemar, T.G. Anderson, J. Thordson. Appl. Phys. Lett., 68, 3464 (1996)
B. Johnson, P.M. Koenraad, W.C. van der Vleuten, H.W.M. Saleminh, J.H. Wolter. Phys. Rev. Lett., 75, 1606 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель