"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
Журавлев К.С., Якушева Н.А.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Изучена зависимость интенсивности и состава длинноволновых полос низкотемпературной ФЛ в слоях (100) СЛ GaAs : Ge от состава галлий-висмутового расплава. Установлено, что в диапазоне составов 0=< xBi=< 0.8 в спектрах ФЛ p-GaAs : Ge присутствует две длинноволновые полосы C с homega=1.32 эВ и D с homega=1.19 эВ, интенсивность которых возрастает с ростом доли висмута в расплаве. Интенсивность этих полос в сильно легированных слоях, полученных из расплавов с xBi~0.9, уменьшается. При xBi>0.9 наблюдаются инверсия типа проводимости и изменение состава длинноволновых полос: исчезновение полосы C и появление полосы C', энергия максимума которой увеличивается с ростом уровня легирования в диапазоне homega=1.23/ 1.27 эВ, и полосы E с homega~1.05 эВ. Интенсивность полос C' и D в n-GaAs : Ge увеличивается с ростом xBi. Анализ полученных результатов подтверждает гипотезу о том, что полосы C и D обусловлены комплексами, в состав которых входят пара атомов германия и точечный дефект: в состав комплекса C входит вакансия мышьяка, а в состав комплекса D, вероятно, мышьяк в междоузлии или мышьяк на месте галлия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.