Экспериментально и теоретически исследована кинетика спада долговременной фотопроводимости в чистых, структурно совершенных эпитаксиальных слоях n-GaAs с концентрацией электронов n₀=10¹⁵ см^-3 и подвижностью при 77 K mu₇₇=(5/7)·10⁴ см²/В·c. Экспериментальные результаты интерпретированы на основе модели, позволившей ранее объяснить природу объемного шума 1/f в GaAs. В модели предполагается, что долговременная фотопроводимость возникает вследствие захвата возбужденных светом дырок на уровни, образующие "хвост" плотности состояний вблизи края зоны проводимости. После окончания возбуждающего импульса в зоне проводимости остаются избыточные электроны, число которых равно полному числу дырок, захваченных на уровни хвоста. Показано, что предложенная модель качественно хорошо объясняет всю совокупность экспериментальных данных по исследованию долговременной релаксации фотопроводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.