"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние ИК подсветки на проводимость фотоносителей в нелегированном аморфном полупроводнике
Абдукадыров А.Г., Ивченко Е.Л.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Рассчитана заселенность локализованных состояний в нелегированном аморфном полупроводнике при низкой температуре в условиях стационарного освещения выше края основного поглощения и при дополнительной ИК подсветке, вызывающей фотовозбуждение из локализованных состояний. Найдена зависимость фотопроводимости от интенсивности ИК излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.