Рассчитана заселенность локализованных состояний в нелегированном аморфном полупроводнике при низкой температуре в условиях стационарного освещения выше края основного поглощения и при дополнительной ИК подсветке, вызывающей фотовозбуждение из локализованных состояний. Найдена зависимость фотопроводимости от интенсивности ИК излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.