"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Измерение ВАХ InGaAs при помощи пикосекундной электрооптической стробирующей установки
Балинас В., Гореленок А.Т., Кроткус А., Сталненис А., Шмидт Н.М.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

При помощи метода электрооптического стробирования измерены вольтамперные характеристики слоев InGaAs в диапазоне электрических полей, в 10 раз превышающих порог отрицательной дифференциальной проводимости. Большая разрешающая способность экспериментальной установки позволила измерить время формирования ганновских доменов, а также определить зависимость дрейфовой скорости электронов vd от напряженности электрического поля в условиях однородного распределения электрического поля в образце. Экспериментальные результаты сопоставлены с расчетами методом Монте-Карло.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.