"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диэлектрическая релаксация в компенсированном кремнии
Постников В.С., Борисов В.С., Капустин Ю.А., Кириллов В.И.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Приведены результаты исследования температурно-частотных зависимостей диэлектрических потерь и удельного сопротивления кремния, компенсированного примесными центрами золота, платины или радиационными дефектами. На температурных зависимостях тангенса угла диэлектрических потерь в килогерцевом диапазоне частот обнаружены максимумы, имеющие релаксационную природу. Показано, что в исследованных образцах время процесса диэлектрической релаксации (ДР) отличается на несколько порядков от времени максвелловскои релаксации в области температур наблюдения диэлектрических потерь. В этой же области температур обнаружена частотная дисперсия действительной части полной проводимости. Предложен механизм возникновения диэлектрических потерь в килогерцевом диапазоне частот, состоящий в максвелл-вагнеровской релаксации объемного заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.