"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Глубокий радиационный уровень в антимониде индия n-типа, облученном электронами
Дмитриев В.В., Скипетров Е.П.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Исследованы гальваномагнитные эффекты в слабых магнитных полях в не легированных образцах n-InSb [n=(3/5)·1014 см-3], облученных электронами (T~ 300 K, E=4/8 МэВ, Phi=<2·1017 см-2), в интервале давлений P=<15 кбар. В облученных образцах вблизи дна зоны проводимости обнаружено появление глубокого уровня с энергией Et~ Ec-0.05 эВ. Установлено, что под действием давления происходят увеличение энергии активации глубокого уровня Et и n-p-конверсия при низких температурах, связанные с неизменностью энергетического положения уровня Et относительно потолка валентной зоны антимонида индия. Сопоставление полученных результатов с данными других работ позволило заключить, что электронное облучение антимонида индия приводит к возникновению вблизи дна зоны проводимости трех глубоких уровней, отщепленных, по-видимому, от потолка валентной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.