"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
Алешкин В.Я., Аншон А.В., Бабушкина Т.С., Батукова Л.М., Демидов Е.В., Звонков Б.Н., Малкина И.Г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Экспериментально изучена фотолюминесценция (ФЛ) напряженных квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенид-галлиевой подложки. На спектре ФЛ хорошо различаются переходы между уровнями размерного квантования электронов и тяжелых дырок. Эти переходы также наблюдаются при изучении фотопроводимости вдоль слоя. Для слоев, выращенных на плоскости (111)A, наблюдалось смещение максимума ФЛ с ростом мощности возбуждения, что обусловлено экранировкой фотоносителями электрического поля, присутствующего в слое благодаря пьезоэффекту.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.