Экспериментально изучена фотолюминесценция (ФЛ) напряженных квантовых слоев In_xGa_1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенид-галлиевой подложки. На спектре ФЛ хорошо различаются переходы между уровнями размерного квантования электронов и тяжелых дырок. Эти переходы также наблюдаются при изучении фотопроводимости вдоль слоя. Для слоев, выращенных на плоскости (111)A, наблюдалось смещение максимума ФЛ с ростом мощности возбуждения, что обусловлено экранировкой фотоносителями электрического поля, присутствующего в слое благодаря пьезоэффекту.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.