Найдено распределение потенциала в слое Шоттки, окружающем стенку из заряженных краевых дислокаций в полупроводнике. Нелинейная задача экранирования сведена к нахождению формы границы слоя. Получены точные решения, описывающие форму границы и распределение потенциала. Рассчитаны зависимости высоты потенциального барьера для протекания тока сквозь границу и заряда дислокаций от периода стенки и концентрации примесей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.