Теоретически и экспериментально исследован спектр отрицательной люминесценции (ОЛ) в тонких пластинах InSb с различающимися значениями скоростей поверхностной рекомбинации (s_min, s_max) на гранях. Измерения выполнены при комнатной температуре, в качестве способа возбуждения использован магнитоконцентрационный эффект (скрещенные электрическое и магнитное поля). Показано,что максимум спектра ОЛ при наблюдении с грани s_min в пределе сильных управляющих полей (полное истощение кристалла носителями тока) соответствует ширине запрещенной зоны E_g материала (homega_m=E_g), а сам спектр ОЛ совпадает со спектром теплового излучения пластины. При слабом возбуждении (истощении приповерхностной области кристалла) omega_m "сдвигается" в коротковолновую область спектра l(homega_m~= E_g+(kT)/(2)r).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.