"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спектр отрицательной люминесценции в InSb
Малютенко В.К., Пипа В.И., Яблоновский Е.И., Колесников И.В.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Теоретически и экспериментально исследован спектр отрицательной люминесценции (ОЛ) в тонких пластинах InSb с различающимися значениями скоростей поверхностной рекомбинации (smin, smax) на гранях. Измерения выполнены при комнатной температуре, в качестве способа возбуждения использован магнитоконцентрационный эффект (скрещенные электрическое и магнитное поля). Показано,что максимум спектра ОЛ при наблюдении с грани smin в пределе сильных управляющих полей (полное истощение кристалла носителями тока) соответствует ширине запрещенной зоны Eg материала (homegam=Eg), а сам спектр ОЛ совпадает со спектром теплового излучения пластины. При слабом возбуждении (истощении приповерхностной области кристалла) omegam "сдвигается" в коротковолновую область спектра l(homegam~= Eg+(kT)/(2)r).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.