"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур AlGaAsSb/GaSb в инфракрасной области спектра
Ильин М.А., Карасев П.Ю., Мильвидский М.Г., Михайлова Н.Г., Пшеничная А.Н.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Проанализированы возможности метода ИК спектроскопии для определения концентрации свободных электронов в слое Nсл и подложке Nподл, а также основных характеристик эпитаксиальных слоев AlGaAsSb.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.