"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния
Андреев А.П., Виолин Э.Е., Левин В.И., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Яременко И.Е.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Приведены результаты исследования быстродействия, фоточувствительности в прямом смещении, а также параметров структуры карбид-кремниевых p-n*-n-переходов, полученных диффузией бора в кристаллы с отклонением от стехиометрии. Обнаружена однозначная корреляция между фоточувствительностью в ближней ИК области спектра при lambda~0.9 мкм и отклонением от стехиометрии. Обнаружено, что введение избыточных углеродных вакансий увеличивает инерционность p-n*-n-структур, вероятно, вследствие модуляции заряда глубоких ловушек в базовой области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.