"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
Гук Е.Г., Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Обнаружен эффект немонотонной зависимости уровня шума 1/f в кремнии от интенсивности подсветки. При температуре T~100/150 K уровень шума с увеличением интенсивности подсветки вначале растет, а затем уменьшается. С дальнейшим увеличением интенсивности уровень шума падает до величины, меньшей, чем темновая. За эффект ответственны фотоны с энергией varepsilonphi>~=varepsilong (varepsilong --- ширина запрещенной зоны кремния). Эффект максимален при varepsilonphi~1.4 эВ. С повышением температуры эффект ослабевает и при T>~=250 K не наблюдается. Эффект объяснен в рамках модели объемного шума 1/f. В модели предполагается, что шум 1/f обусловлен флуктуациями числа носителей на уровнях "хвоста" плотности состояний вблизи края зоны проводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.