"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурные зависимости накопления центров E10 (Ec-0.62 эВ) в n-InP
Пешев В.В., Смородинов С.В.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Методом нестационарной емкостной спектроскопии получены температурные зависимости накопления центров E10 (Ec-0.62 эВ) в диодах n-InP с барьером Шоттки при электронном облучении в области пространственного заряда (ОПЗ) и нейтральном объеме (НО). Из анализа экспериментальных результатов сделан вывод, что возрастание концентрации E10 в ОПЗ по сравнению с НО связано не с возможным различием высоты потенциальных барьеров для их образования или энергий миграции компоненты пары Френкеля в этих областях, а скорее всего с разной вероятностью разделения пар Френкеля.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.