"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние знака упругой деформации монокристаллов кремния на результаты радиационного воздействия
Гарнык В.С.1, Белокурова И.Н.1
1Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Образцы, вырезанные из монокристаллического кремния, нагружали по схеме трехточечного изгиба и облучали быстрыми электронами с энергией 8 МэВ. Облученные образцы разрезали на две части - ''растянутую'' и ''сжатую''. В каждом из этих образцов исследовали температурные зависимости концентрации и холловской подвижности носителей заряда. Установлено, что в образце, нагруженном во время облучения на растяжение, при низких температурах подвижность электронов была ниже, чем в образце, нагруженном на сжатие. На основании полученных результатов сделан вывод о том, что в той части образца, которая нагружалась на растяжение, при облучении образовывались нейтральные центры, способные рассеивать носители заряда, но не создающие локальных энергетических уровней в запрещенной зоне.
  1. П.С. Киреев. \it Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.