Образцы, вырезанные из монокристаллического кремния, нагружали по схеме трехточечного изгиба и облучали быстрыми электронами с энергией 8 МэВ. Облученные образцы разрезали на две части - ''растянутую'' и ''сжатую''. В каждом из этих образцов исследовали температурные зависимости концентрации и холловской подвижности носителей заряда. Установлено, что в образце, нагруженном во время облучения на растяжение, при низких температурах подвижность электронов была ниже, чем в образце, нагруженном на сжатие. На основании полученных результатов сделан вывод о том, что в той части образца, которая нагружалась на растяжение, при облучении образовывались нейтральные центры, способные рассеивать носители заряда, но не создающие локальных энергетических уровней в запрещенной зоне.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.