"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние сильного электрического поля на свойства неравновесного двумерного электронного газа в неидеальных структурах
Крещук А.М.1, Новиков С.В.1, Савельев И.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Исследуются физические процессы, возникающие при приложении сильного электрического поля к образцу с двумерным электронным газом и приводящие к ''гашению'' замороженной фотопроводимости. Для этого изучаются свойства выходного импульса тока, соответствующего прямоугольному импульсу напряжения, поданного на образец. Обнаружено, что форма токового импульса имеет сложный вид, зависящий от величины электрического поля E, создаваемого импульсом. При больших E на вершине токового импульса наблюдается несколько серий V-образных особенностей различного масштаба. Предлагается модель, объясняющая наблюдаемые экспериментальные факты рекомбинацией простанственно разделенных неравновесных электронов и дырок в контактах и образованием дырочных доменов на поверхности образца, обусловленных наличием неоднородностей различных масштабов в исследумых гетероструктурах In0.53Ga0.47As/InP.
  1. M. Razeghi. MOCVD Challenge (Bristol-Philadelphia, 1989)
  2. A.M. Kreshchuk, M.M. Kulagina, S.V. Novikov, I.G. Savel'ev, A. Shik, G.D. Kipshidze. Superlat. Microstruct., 16, 153 (1994)
  3. А.М. Крещук, С.В. Новиков, И.Г. Савельев. ФТП, 30, 934 (1996)
  4. Н.А. Берт, В.В. Воробьева, М.В. Воронцова, А.М. Крещук, С.В. Новиков, К.Ю. Погребицкий, И.Г. Савельев, Д.Ж. Сайфидинов, И.П. Сошников, А.Я. Шик. ФТП, 24, 653 (1990)
  5. A.M. Kreshchuk, S.V. Novikov, T.A. Polyanskaya, I.G. Savel'ev, A. Shik. J. Cryst. Growth, 146, 153 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.