Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Тепловые и термоэлектрические свойства твердых растворов Bi_2-xSb_xTe _3-ySe_y (x=<0.12, y=<0.36)

Алексеева Г.Т.¹, Ведерникова М.В.¹, Константинов П.П.¹, Кутасов В.А.¹, Лукьянова Л.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 20 сентября 1995 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Bi_2-x Sb_x Te_3-y Se_y Исследованы тепловые и термоэлектрические свойства твердых растворов n- (x=<0.12, y=<0.36) в интервале температур 80-300 K. Обсуждаются температурные зависимости рассчитанных из экспериментальных данных параметров, определяющих термоэлектрическую эффективность: величины (m^*/m)^3/2mu₀ (m^* и mu₀ - эффективная масса плотности состояний и подвижность носителей заряда с учетом вырождения электронного газа; m - масса свободного электрона) и теплопроводности кристаллической решетки varkappa_L при различных замещениях атомов в анионной и катионной подрешетках теллурида висмута.

M.V. Vedernikov, V.A. Kutasov, V.L. Kuznetsov, L.N. Luk`yanova, P.P. Konstantinov, Yu.I. Ageev, G.T. Alekseeva, Yu.I. Ravich, M.I. Fedorov, E.A. Izupak, L.M. Gladkikh, I.M. Bash. XIII Int. Conf. on Thermoelectrics, Kanzas City, Missouri, USA, p. B4-3 (1994)
В.А. Семенюк, Л.Д. Иванова, Т.Е. Свечникова. Изв. РАН. Неорг. матер., 31, 32 (1995)
W.A. Tiller. \it Growth and Perfection of Crystals (John Wiley and Sons. Inc. N.Y., 1958)
M.V. Vedernikov, P.P. Konstantinov, A.T. Burkov. VIII Int. Conf. on Thermoelectric Energy Conversion, Nancy (France), p. 45 (1989)
В.А. Кутасов, Л.Н. Лукьянова. ФТТ, 26, 2501 (1984)
А.И. Ансельм. \it Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. \it Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе BiTe (М., Наука, 1972)
Б.М. Больцман, Г.Н. Иконникова, В.А. Кутасов, Ю.И. Равич. ФТТ, 27, 542 (1985)
А.И. Анухан, А.И. Мазина, Н.А. Бобошко, В.А. Кутасов. \it Тез. докл. III межгос. сем. "Материалы для термоэлектрических преобразователей" (С.-Петербург, ФТИ, 1993) с. 14
H.J. Goldsmid. \it Electronic Refregeration (London, Pion Limited, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель