"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние свойств границы раздела и глубоких уровней в запрещенной зоне на вольт-фарадные характеристики МДП структур на арсениде индия
Корнюшкин Н.А.1, Валишева Н.А.1, Ковчавцев А.П.1, Курышев Г.Д.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Показано, что добавление в электролит при анодном окислении InAs ионов фтора позволяет получать совершенную границу раздела в системе InAs--анодный окисел-- SiO2-In2O3. Сравнением экспериментальных вольт-фарадных характеристик таких структур с расчетными впервые показано, что в запрещенной зоне InAs присутствуют глубокие уровни с концентрацией ~ 1017см-3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.