Показано, что добавление в электролит при анодном окислении InAs ионов фтора позволяет получать совершенную границу раздела в системе InAs-анодный окисел- SiO₂-In₂O₃. Сравнением экспериментальных вольт-фарадных характеристик таких структур с расчетными впервые показано, что в запрещенной зоне InAs присутствуют глубокие уровни с концентрацией ~ 10¹⁷см^-3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.