"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Емкостная спектроскопия электронных уровней в квантовых точках InAs в матрице GaAs
Брунков П.Н.1, Конников С.Г.1, Устинов В.М.1, Жуков А.Е.1, Егоров А.Ю.1, Максимов М.В.1, Леденцов Н.Н.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Проводились температурные исследования вольт-емкостных характеристик барьеров Шоттки на эпитаксиальных слоях GaAs n-типа проводимости, содержащих слой квантовых точек InAs. Представлена модель, основанная на решении уравнения Пуассона, для расчета вольт-емкостных характеристик, которая позволяет определить основные параметры квантовых точек: расстояние от слоя квантовых точек до поверхности образца, концентрацию квантовых точек и энергетическое положение уровня электрона в квантовой точке. Наблюдается достаточно хорошее соответствие с данными фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии. Объяснена температурная зависимость пороговой плотности тока лазера на квантовых точках.
  • L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G.Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
  • D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, S.P. Denbraars, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 63, 3203 (1993)
  • J.-Y. Marzin, J.-M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier, G. Bastard. Phys. Rev. Lett., 73, 716 (1994)
  • G. Medeiros-Ribeiro, D. Leonard, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 66, 1767 (1995)
  • M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heyndenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
  • Ф.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, 28, 1439 (1994)
  • Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, Г.М. Гурьянов. ФТП, 29, 1295 (1995)
  • N. Kristaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gosele, J. Heyndenreich. Electron. Lett., 30, 1416 (1995)
  • M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B (inprint)
  • \it Handbook of Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinstein, S. Rumyantsev, M. Shur (Singapore, WorldScientific Publishing, 1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.