Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Емкостная спектроскопия электронных уровней в квантовых точках InAs в матрице GaAs

Брунков П.Н.¹, Конников С.Г.¹, Устинов В.М.¹, Жуков А.Е.¹, Егоров А.Ю.¹, Максимов М.В.¹, Леденцов Н.Н.¹, Копьев П.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 октября 1995 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проводились температурные исследования вольт-емкостных характеристик барьеров Шоттки на эпитаксиальных слоях GaAs n-типа проводимости, содержащих слой квантовых точек InAs. Представлена модель, основанная на решении уравнения Пуассона, для расчета вольт-емкостных характеристик, которая позволяет определить основные параметры квантовых точек: расстояние от слоя квантовых точек до поверхности образца, концентрацию квантовых точек и энергетическое положение уровня электрона в квантовой точке. Наблюдается достаточно хорошее соответствие с данными фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии. Объяснена температурная зависимость пороговой плотности тока лазера на квантовых точках.

L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G.Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, S.P. Denbraars, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 63, 3203 (1993)
J.-Y. Marzin, J.-M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier, G. Bastard. Phys. Rev. Lett., 73, 716 (1994)
G. Medeiros-Ribeiro, D. Leonard, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 66, 1767 (1995)
M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heyndenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
Ф.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, 28, 1439 (1994)
Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, Г.М. Гурьянов. ФТП, 29, 1295 (1995)
N. Kristaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gosele, J. Heyndenreich. Electron. Lett., 30, 1416 (1995)
M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B (inprint)
\it Handbook of Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinstein, S. Rumyantsev, M. Shur (Singapore, WorldScientific Publishing, 1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель