Вышедшие номера
Фотолюминесценция при умеренных уровнях возбуждения и резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GaAs/AlGaAs
Алещенко Ю.А.1, Заварицкая Т.Н.1, Капаев В.В.1, Копаев Ю.В.1, Мельник Н.Н.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

В спектрах фотолюминесценции сверхрешеток GaAs/AlGaAs при умеренных уровнях возбуждения зарегистрированы дополнительные пики в области энергий выше положения пика квазидвумерного экситона. На основании расчетов структуры подзон и матричных элементов переходов методом огибающей, а также данных резонансного комбинационного рассеяния света эти пики отнесены к вкладам переходов между более выскокими (n=< 3) подзонами. Исследованы зависимости энергий этих переходов, заселенностей соответствующих подзон и локализации электронной волновой функции от толщины барьерных слоев. Обнаружен перенос электронов X-Gamma в реальном пространстве в структурах с широкими барьерными слоями AlGaAs.