Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотолюминесценция при умеренных уровнях возбуждения и резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GaAs/AlGaAs

Алещенко Ю.А.¹, Заварицкая Т.Н.¹, Капаев В.В.¹, Копаев Ю.В.¹, Мельник Н.Н.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 1 июня 1995 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В спектрах фотолюминесценции сверхрешеток GaAs/AlGaAs при умеренных уровнях возбуждения зарегистрированы дополнительные пики в области энергий выше положения пика квазидвумерного экситона. На основании расчетов структуры подзон и матричных элементов переходов методом огибающей, а также данных резонансного комбинационного рассеяния света эти пики отнесены к вкладам переходов между более выскокими (n=< 3) подзонами. Исследованы зависимости энергий этих переходов, заселенностей соответствующих подзон и локализации электронной волновой функции от толщины барьерных слоев. Обнаружен перенос электронов X-Gamma в реальном пространстве в структурах с широкими барьерными слоями AlGaAs.

R. Cingolani, K. Ploog. Adv. Phys., 40, 535 (1991)
Ю.А. Алещенко, Т.Н. Заварицкая, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев, Н.Н. Мельник. Письма ЖЭТФ, 59, 235 (1994)
N. Saint-Cricq, G. Landa, J.B. Renucci, I. Hardy, A. Munoz-Yague. J. Apll. Phys., 61, 1206 (1987)
G. Oelgart, M. Proctor, D. Martin, F. Morier-Genaud, F.-K. Reinhart, B. Orschel, L.C. Andreani, H. Rhan. Phys. Rev. B, 49, 10456 (1994)
E. Calleja, C. Fontaine, E. Munos. A. Munoz-Yague, M. Fockele, J.-M. Spaeth. Semicond. Sci. Technol., 6, 1006 (1991)
P.W.M. Blom, C. Smit, J.E.M. Haverkort, J.H. Wolter. Phys. Rev. B, 47, 2072 (1993)
J. Feldmann, R. Sattmann, E.O. Gobel, J. Kuhl, J. Hebling, K. Ploog, R. Muralidharan, P. Dawson, C.T. Foxon. Phys. Rev. Lett., 62, 1892 (1989)
R. Boyn, H. Zimmermann. Phys. St. Sol. (b), 140, 163 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель