"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция при умеренных уровнях возбуждения и резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GaAs/AlGaAs
Алещенко Ю.А.1, Заварицкая Т.Н.1, Капаев В.В.1, Копаев Ю.В.1, Мельник Н.Н.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

В спектрах фотолюминесценции сверхрешеток GaAs/AlGaAs при умеренных уровнях возбуждения зарегистрированы дополнительные пики в области энергий выше положения пика квазидвумерного экситона. На основании расчетов структуры подзон и матричных элементов переходов методом огибающей, а также данных резонансного комбинационного рассеяния света эти пики отнесены к вкладам переходов между более выскокими (n=< 3) подзонами. Исследованы зависимости энергий этих переходов, заселенностей соответствующих подзон и локализации электронной волновой функции от толщины барьерных слоев. Обнаружен перенос электронов X-Gamma в реальном пространстве в структурах с широкими барьерными слоями AlGaAs.
  1. R. Cingolani, K. Ploog. Adv. Phys., 40, 535 (1991)
  2. Ю.А. Алещенко, Т.Н. Заварицкая, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев, Н.Н. Мельник. Письма ЖЭТФ, 59, 235 (1994)
  3. N. Saint-Cricq, G. Landa, J.B. Renucci, I. Hardy, A. Munoz-Yague. J. Apll. Phys., 61, 1206 (1987)
  4. G. Oelgart, M. Proctor, D. Martin, F. Morier-Genaud, F.-K. Reinhart, B. Orschel, L.C. Andreani, H. Rhan. Phys. Rev. B, 49, 10456 (1994)
  5. E. Calleja, C. Fontaine, E. Munos. A. Munoz-Yague, M. Fockele, J.-M. Spaeth. Semicond. Sci. Technol., 6, 1006 (1991)
  6. P.W.M. Blom, C. Smit, J.E.M. Haverkort, J.H. Wolter. Phys. Rev. B, 47, 2072 (1993)
  7. J. Feldmann, R. Sattmann, E.O. Gobel, J. Kuhl, J. Hebling, K. Ploog, R. Muralidharan, P. Dawson, C.T. Foxon. Phys. Rev. Lett., 62, 1892 (1989)
  8. R. Boyn, H. Zimmermann. Phys. St. Sol. (b), 140, 163 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.