Проведено исследование температурной зависимости фотолюминесценции в образцах a-Si : H< Er>, в которые были введены Er и кислород в процессе роста. В отличие от монокристаллического Si< Er>, где интенсивность фотолюминесценции Er на длине волны 1.54 мкм при увеличении температуры от 4.2 K до комнатной значительно уменьшается, в a-Si : H< Er> интенсивность фотолюминесценции, связанной с Er, на данной длине волны практически не зависит от температуры. Различный ход температурных зависимостей собственной фотолюминесценции a-Si : H< Er> и фотолюминесценции на длине 1.54 мкм свидетельствует о наличии двух независимых друг от друга излучательных каналов. Отжиг в вакууме при T=800^oC приводит к увеличению фотолюминесценции на длине 1.54 мкм при T=300 K в 2.5 раза.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.